GD25Q40CTIGR, Флэш-память архитектура NOR (шины SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3В/3.3В 256-байт. Размер 4МБ. Индустриальный диапазон р
GD25Q40CTIGR
В этой категории 16 товаров:
Flash память
S29GL128P90FFIR10, Флэш-память 128Мбит 90нс 64FBGA
Cypress (ранее Spansion)
S29GL128P90FFIR10
Flash память
W25Q64JVSSIM TR, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 64Мб питание 2.7....3.6В 8-pin SOIC...
Winbond
W25Q64JVSSIM TR
Flash память
K9F2G08U0C-SIB000, Флэш-память 2Гбит (256Mx8) 2.7-3.6В
Samsung Semiconductor
K9F2G08U0C-SIB000
Flash память
GD25Q16ETIGR, Флэш-память 16Mбит, электропитание 2.7…3.6В, шина SPI
GigaDevice Semiconductor Inc
GD25Q16ETIGR
Flash память
MX25L12835FZNI-10G, Флэш-память 128Mбит 104МГц 8WSON
Macronix International Co., Ltd
MX25L12835FZNI-10G
Flash память
MX25L25635EMI-12G, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В/3.3В 256Мбит...
Macronix International Co., Ltd
MX25L25635EMI-12G
Flash память
MX29LV320ETXEI-70G, Флэш-память 32Mбит 70нс 48LFBGA
Macronix International Co., Ltd
MX29LV320ETXEI-70G
Flash память
MX25R2035FZUIL0, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 1.8В/2.5В/3.3В...
Macronix International Co., Ltd
MX25R2035FZUIL0
Flash память
MX25L4006EZUI-12G, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3В/3.3В 4Мбит...
Macronix International Co., Ltd
MX25L4006EZUI-12G
Наведите курсор на изображение, чтобы увеличить