
GD25Q32ESIGR, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin SOP
GD25Q32ESIGR
Быстрый заказ
Быстрый заказ
GD25Q32ESIGR, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin SOP (арт. GD25Q32ESIGR)
Отправьте запрос на покупку этого товара. Мы скоро свяжемся с вами.

В этой категории 16 товаров:
Flash память
S29GL064N90TFI010, Флэш-память 64Мбит 90нс 56TSOP
Cypress (ранее Spansion)
S29GL064N90TFI010
Flash память
M25P16-VMN6TP, Флэш-память 16Mбит, электропитание 2.7…3.6В, шина SPI
Micron
M25P16-VMN6TP
Flash память
SST39SF020A-70-4C-NHE, Флэш-память 2Мбит 70нс 32PLCC
Microchip Technology Inc.
SST39SF020A-70-4C-NHE
Flash память
MX25L1606EM2I-12G, Флэш-память 16Mбит
Macronix International Co., Ltd
MX25L1606EM2I-12G
Flash память
MX25V1635FZNI/TR, Флэш-память ячейки ИЛИ-НЕ электропитание 2.5В/3.3В 16Мбит 16M/8M/4M x...
Macronix International Co., Ltd
MX25V1635FZNI/TR
Flash память
P25Q16SH-UXH-IR, Флэш-память 16Мб шина SPI 133МГц
Puya Semiconductor Co., Ltd.
P25Q16SH-UXH-IR
Вы смотрели
EEPROM память
M24C02-WBN6P, Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 256x8 электропитание 2.5В, -40°...+85°С
M24C02-WBN6P
Дифференциальные усилители
MAX44211ETP+, Драйвер дифференциальный одиночный 20В 20-Pin TQFN EP лоток
MAX44211ETP+
Flash память
W25Q64BVSFIG, Флэш-память шина SPI 64Мбит. рекомендуемая замена W25Q64FVSFIG
W25Q64BVSFIG
Трансляторы логических уровней
TXS0104EDR, 4-х разрядный неинвертирующий транслятор, 14-SOIC
TXS0104EDR