SST25VF010A-33-4I-SAE, Флэш-память шина SPI электропитание 3.3В 1Мбит 128K x 8bit 12нс
SST25VF010A-33-4I-SAE
В этой категории 16 товаров:
Flash память
MX29LV800CBXEI-70G, Флэш-память 8Mбит 70нс 48LFBGA
Macronix International Co., Ltd
MX29LV800CBXEI-70G
Flash память
AT25DF081A-SH-T, Флэш-память шина SPI электропитание 3.3В 8Мбит 1M x 8 8-Pin SOIC EIAJ...
Adesto
AT25DF081A-SH-T
Flash память
IS25LP064A-JKLE-TR, Флэш-память электропитание 3В последовательная
Integrated Silicon Solution, Inc
IS25LP064A-JKLE-TR
Flash память
MX29LV400CBTC-70G, IC FLASH 4MBIT 70NS 48TSOP
Macronix International Co., Ltd
MX29LV400CBTC-70G
Flash память
MX30LF1G18AC-TI, Флэш-память архитектура И-НЕ электропитание 3В 1Гбит 128M x 8 25нс
Macronix International Co., Ltd
MX30LF1G18AC-TI
Flash память
S29GL01GS11DHI020, Флэш-память 1Гбит 110нс 64FBGA
Cypress (ранее Spansion)
S29GL01GS11DHI020
Flash память
AT45DB321D-TU, Флэш-память 32Мбит (528 Кб x 8192), электропитание 2.7В, 66МГц
Adesto
AT45DB321D-TU
Flash память
S29WS128P0SBFW000, Флэш-память 128Мбит 80МГц 84FBGA
Cypress (ранее Spansion)
S29WS128P0SBFW000
Flash память
MX29LV400CTXEI-70G/TR, Флэш-память 4Мбит 70нс 48LFBGA
Macronix International Co., Ltd
MX29LV400CTXEI-70G/TR
Flash память
W25Q32JVSSIQ/REEL, Флэш-память сдвоенная/счетверенная шина SPI 32М-бит электропитание 3В
Winbond
W25Q32JVSSIQ/REEL
Flash память
MX25L4006EM1I-12G/TR, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ последовательная 3 8-SOP 4M
Macronix International Co., Ltd
MX25L4006EM1I-12G/TR
Flash память
S29AL008J70BFI010, Флэш-память 8Мбит 70нс 48FBGA
Cypress (ранее Spansion)
S29AL008J70BFI010
Flash память
GD25WQ80ETIGR, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ питание 1.65...3.6В 8Мбит -40°С...+85°С...
GigaDevice Semiconductor Inc
GD25WQ80ETIGR
Вы смотрели
Динамическая память - SDRAM
AS4C16M16SA-6TINTR, Динамическое ОЗУ AS4C16M16S серия 256 Мб (16 МБ x 16) 3.3 В 166 МГц...
AS4C16M16SA-6TINTR
Микроконтроллеры GigaDevice
GD32E230F4P6TR, 32бит ARM Cortex M0, 48МГц, 16кб Flash, 4кб ОЗУ, SPI, I2C, 1xUSART, 4...
GD32E230F4P6TR
Наведите курсор на изображение, чтобы увеличить
