Flash память
K9K8G08U0F-SIB0000, Флэш-память ячейки И-НЕ 8Гбитx8 электропитание 2.7...3.6В TSOP48
Samsung Semiconductor
K9K8G08U0F-SIB0000
MX30LF4G28AB-XKI, Флэш-память 4Гбит ячейки И-НЕ 63VFBGA
MX30LF4G28AB-XKI
В этой категории 16 товаров:
Flash память
SST25VF512A-33-4I-SAE, Флэш-память 512Кбит 33МГц 8SOIC
Microchip Technology Inc.
SST25VF512A-33-4I-SAE
Flash память
S25FL256SAGNFI003, Флэш-память 256Мбит 133МГц 8WSON
Cypress Semiconductor
S25FL256SAGNFI003
Flash память
MX25V2006EM1I-13G, Флэш-память 2Мбит 75МГц 8SOP
Macronix International Co., Ltd
MX25V2006EM1I-13G
Flash память
MX25R3235FM2IL0 T/R, Флэш-память последовательная 1.8В/3.3В 32Мбит 32M/16M/8M x...
Macronix International Co., Ltd
MX25R3235FM2IL0 T/R
Flash память
AT45DB041D-SSU, Флэш-память 4Mбит, электропитание 2.7...3.6В со сдвоенным 264-бит...
Adesto
AT45DB041D-SSU
Flash память
MX25L6433FMI-08G T&R, Флэш-память 64Mбит 50МГц электропитание 3В/3.3В
Macronix International Co., Ltd
MX25L6433FMI-08G T&R
Flash память
K9F2G08U0C-SIB000, Флэш-память 2Гбит (256Mx8) 2.7-3.6В
Samsung Semiconductor
K9F2G08U0C-SIB000
Flash память
AT45DB161D-TUR, Флэш-память 16Mбит, электропитание 2.7В со сдвоенным 528-бит буфером ОЗУ
Adesto
AT45DB161D-TUR
Flash память
GD25Q80CTIGR, Флэш-память архитектура NOR 8Мбит -40°С....+85°С SOP8 150mil
GigaDevice Semiconductor Inc
GD25Q80CTIGR
Вы смотрели
Flash память
K9K8G08U0F-SIB0000, Флэш-память ячейки И-НЕ 8Гбитx8 электропитание 2.7...3.6В TSOP48
Samsung Semiconductor
K9K8G08U0F-SIB0000
Операционные усилители
TL062CN, Операционный усилитель сдвоенный с полевыми транзисторами маломощный 36 В 1 МГц
TL062CN
Операционные усилители
NCV20072DR2G, Усилитель операционный сдвоенный общего применения полный выход 36В...
NCV20072DR2G
Flash память
MX29LV640EBXEI-70G/T&R, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ параллельная электропитание...
MX29LV640EBXEI-70G/T&R
Наведите курсор на изображение, чтобы увеличить
