MX25R3235FM2IL0 T/R, Флэш-память последовательная 1.8В/3.3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 12нс
MX25R3235FM2IL0 T/R
В этой категории 16 товаров:
Flash память
S25FL256SAGBHI200, Флэш-память 256Мбит 133МГц 24BGA
Cypress (ранее Spansion)
S25FL256SAGBHI200
Flash память
MX29LV800CBTI-55Q, Флэш-память 8Mбит 55нс 48TSOP
Macronix International Co., Ltd
MX29LV800CBTI-55Q
Flash память
S29GL032N90TFI020, Флэш-память 32Мбит 90нс 56TSOP
Cypress (ранее Spansion)
S29GL032N90TFI020
Flash память
IS25LQ010B-JNLE-TR, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI,...
Integrated Silicon Solution, Inc
IS25LQ010B-JNLE-TR
Flash память
S34ML02G104TFI010, Флэш-память архитектура NAND, 2Гб, 128Mx16, питание 2.7/3.6В,...
Cypress Semiconductor
S34ML02G104TFI010
Flash память
SST25VF010A-33-4I-QAE-T, Флэш-память 1Mбит 33МГц 8WSON
Microchip Technology Inc.
SST25VF010A-33-4I-QAE-T
Flash память
W25Q32BVSSIG/REEL, Флэш-память шина SPI 32Мбит. рекомендуемая замена W25Q32FVSSIG
Winbond
W25Q32BVSSIG/REEL
Flash память
MX25L25635EMI-12G, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В/3.3В 256Мбит...
Macronix International Co., Ltd
MX25L25635EMI-12G
Flash память
MX25U1635EZNI-10G/TR, Флэш-память 16Mбит 104МГц 8WSON
Macronix International Co., Ltd
MX25U1635EZNI-10G/TR
Flash память
MX25U6435FBBI-10G/TR, Flash память
Macronix International Co., Ltd
MX25U6435FBBI-10G/TR
Вы смотрели
Цифровые изоляторы
ADUM4190SRIZ, Изолированный усилитель сигнала ошибки, выдерживаемое напряжение 5 кВ,...
ADUM4190SRIZ
Наведите курсор на изображение, чтобы увеличить
