Flash память
K9F2G08U0C-SIB000, Флэш-память 2Гбит (256Mx8) 2.7-3.6В
Samsung Semiconductor
K9F2G08U0C-SIB000
MX25L6435EM2I-10G, Флэш-память 64Mбит 104МГц 8SOP
MX25L6435EM2I-10G
В этой категории 16 товаров:
Flash память
W29N02GVSIAA TR, Флэш-память архитектура И-НЕ электропитание 3В 2Гбит 128M x 8 25нс...
Winbond
W29N02GVSIAA TR
Flash память
AT45DB321D-TUR, Флэш-память 32Мбит (528 Кб x 8192), электропитание 2.7В, 66МГц
Adesto
AT45DB321D-TUR
Flash память
IS25LP016D-JBLE-TR, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI,...
Integrated Silicon Solution, Inc
IS25LP016D-JBLE-TR
Flash память
S29JL032J70TFI420, Флэш-память 32Мбит 70нс 48TSOP
Cypress (ранее Spansion)
S29JL032J70TFI420
Flash память
MX25L1606EM2I-12G/TR, Флэш-память NOR последовательная шина 16Мбитt 16M/8M x 1/2-бит...
Macronix International Co., Ltd
MX25L1606EM2I-12G/TR
Flash память
SST39VF1601-70-4C-EKE, Флэш-память 16Мбит 70нс 48TSOP
Microchip Technology Inc.
SST39VF1601-70-4C-EKE
Flash память
M25P128-VMF6PB, Флэш-память 128 Mбит (многоуровневая), низкое энергопотребление 50МГц
Micron
M25P128-VMF6PB
Flash память
GD25Q32ESIG, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 32Мбит 32M/16M/8M x...
GigaDevice Semiconductor Inc
GD25Q32ESIG
Flash память
P25Q16SH-UXH-IR, Флэш-память 16Мб шина SPI 133МГц
Puya Semiconductor Co., Ltd.
P25Q16SH-UXH-IR
Flash память
SST39SF020A-70-4C-WHE, Флэш-память 2Мбит 70нс 32TSOP
Microchip Technology Inc.
SST39SF020A-70-4C-WHE
Вы смотрели
Дифференциальные усилители
AD8139ARDZ-REEL7, Операционный усилитель, дифференциальный, 410 МГц
AD8139ARDZ-REEL7
Наведите курсор на изображение, чтобы увеличить
