MX25L12833FMI-10G, Флэш-память электропитание 3В 128Мбит 104МГц КМОП (последовательный ввод-вывод)
MX25L12833FMI-10G
В этой категории 16 товаров:
Flash память
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR, Флэш-память 2Гб шина SPI 8UPDFN
Micron
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
Flash память
MX25L3233FM1I-08G, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3В 32Мбит...
Macronix International Co., Ltd
MX25L3233FM1I-08G
Flash память
MX25L5121EMC-20G, Флэш-память ячейки ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3.3В 512K-бит 512K...
Macronix International Co., Ltd
MX25L5121EMC-20G
Flash память
MX68GL1G0FLXFI-11G, Флэш-память 1Гбит 110нс 64LFBGA
Macronix International Co., Ltd
MX68GL1G0FLXFI-11G
Flash память
MX66L51235FMI-10G, Флэш-память 512Mбит 104МГц 16SOP
Macronix International Co., Ltd
MX66L51235FMI-10G
Flash память
MX30LF1G08AA-XKI T/R, Флэш-память 1Гбит (x8) параллельная ячейки И-НЕ электропитание...
Macronix International Co., Ltd
MX30LF1G08AA-XKI T/R
Flash память
MT29F8G01ADBFD12-IT:F, Флэш-память архитектура И-НЕ питание 1.8В 8ГБ 8Г-бит x 1 24-Pin...
Micron
MT29F8G01ADBFD12-IT:F
Flash память
MX29LV400CTXEI-70G/TR, Флэш-память 4Мбит 70нс 48LFBGA
Macronix International Co., Ltd
MX29LV400CTXEI-70G/TR
Flash память
MT25QL512ABB8ESF-0AAT, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI,...
Micron
MT25QL512ABB8ESF-0AAT
Flash память
N25Q00AA13GSF40G, Флэш-память ячейки ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3В/3.3В 1Гбит...
Micron
N25Q00AA13GSF40G
Вы смотрели
Динамическая память - SDRAM
MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR, Динамическое ОЗУ 256Мб 4Mx16x4 банка 167МГц 3,3В
MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR
Операционные усилители
LTC2050CS5TRMPBF, Операционный усилитель с прерыванием, с автобалансировкой уровень...
LTC2050CS5TRMPBF
Статическая память - SRAM
CY7C1021DV33-10ZSXIT, Статическое ОЗУ 1Mбит 10нс 44TSOP
CY7C1021DV33-10ZSXIT
Микросхемы ТТЛ (серия 74)
MM74HCT05MTCX, Инвертер 6-ти канальный открытый сток TSSOP14
MM74HCT05MTCX
LVDS драйверы, буферы
SN65MLVD200D, Дифференциальный линейный драйвер/приемник быстродействующий
SN65MLVD200D
Наведите курсор на изображение, чтобы увеличить
