Flash память
SST39VF1601-70-4C-EKE, Флэш-память 16Мбит 70нс 48TSOP
Microchip Technology Inc.
SST39VF1601-70-4C-EKE
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR, Флэш-память 8Гбит 48TSOP
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR
В этой категории 16 товаров:
Flash память
MT25QL512ABB8ESF-0AAT, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI,...
Micron
MT25QL512ABB8ESF-0AAT
Flash память
MX25L3206EZUI-12G, Флэш-память 32Mбит 86МГц 8USON
Macronix International Co., Ltd
MX25L3206EZUI-12G
Flash память
W25Q32BVSFIG, Флэш-память шина SPI 32Мбит. рекомендуемая замена W25Q32FVSFIG
Winbond
W25Q32BVSFIG
Flash память
S29GL01GS11DHI020, Флэш-память 1Гбит 110нс 64FBGA
Cypress (ранее Spansion)
S29GL01GS11DHI020
Flash память
W25Q40CLSNIG, Флэш-память счетверенная шина ввода/вывода 4МБ 4кб сектор питание 2.5В
Winbond
W25Q40CLSNIG
Flash память
MX29LV800CBXHI-70G, Флэш-память ячейки ИЛИ-НЕ параллельная электропитание 3В/3.3В 8Мбит...
Macronix International Co., Ltd
MX29LV800CBXHI-70G
Flash память
MX29LV320EBXEI-70G, Флэш-память 32Mбит 70нс 48LFBGA
Macronix International Co., Ltd
MX29LV320EBXEI-70G
Flash память
MX29LV800CBXBI-70G, Флэш-память ячейки ИЛИ-НЕ параллельная электропитание 3В/3.3В 8Мбит...
Macronix International Co., Ltd
MX29LV800CBXBI-70G
Flash память
GD25Q127CYIGR, Флэш-память архитектура NOR 128Мб (16M x 8) шина SPI счетверенный порт...
GigaDevice Semiconductor Inc
GD25Q127CYIGR
Flash память
MX25L12833FMI-10G T&R, Флэш-память электропитание 3В 128Мбит 104МГц КМОП...
Macronix International Co., Ltd
MX25L12833FMI-10G T&R
Flash память
MX25R8035FM1IL0/T&R, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 1.8В/3.3В 8Мбит...
Macronix International Co., Ltd
MX25R8035FM1IL0/T&R
Flash память
S29GL256S90TFI010, Флэш-память 256Мбит 90нс 56TSOP
Cypress (ранее Spansion)
S29GL256S90TFI010
Flash память
MX29LV640EBXEI-70G, Флэш-память 64Mбит 70нс 48LFBGA
Macronix International Co., Ltd
MX29LV640EBXEI-70G
Flash память
P25Q40U-SSH-IR, Флэш-память 4Мбит питание 1.65....3.6В -40....+85°С
Puya Semiconductor Co., Ltd.
P25Q40U-SSH-IR
Вы смотрели
Наведите курсор на изображение, чтобы увеличить
